Например, воспитание ребенка

Перенос зарядов автоэлектронной эмиссией

Опубликовано 11.03.2020 в разделе: Здоровье - необходимо знать каждому

Предполагается, что при очень малом зазоре и достаточно высоком приложенном напряжении возможен перенос зарядов за счет автоэлектронной эмиссии. В этом случае критические условия для процесса переноса зарядов определяются крутой наклонной частью кривой Пашена, расположенной слева от горизонтального участка. При высоких значениях величины Va + Ус кривые, вычисленные по уравнению, располагаются обычно выше этого крутого участка, определяющего критическое поле для данной области. В области малых величин зазора кривые не пересекаются с кривой Пашена. Если к находящимся в контакте поверхностям приложить высокое напряжение, то перенос зарядов может произойти при очень малой величине зазора, так как кривые зависимости напряжения в зазоре от величины зазора лежат выше критического поля для этой области. Между двумя гладкими поверхностями, находящимися в контакте, всегда имеется очень тонкая воздушная прослойка, средняя толщина которой может колебаться от долей микрона до нескольких микронов в зависимости от качества поверхностей и величины приложенного давления. Так, при виртуальном контакте отшлифованных и отполированных поверхностей зазор между ними составляет -1 лж; поверхности с оптической полировкой дают зазоры около 0,25 мк. Величину зазоров в этом диапазоне нельзя вычислить обычным способом, исходя из значений других параметров. Как видно из выражения (140), при Z>»zc и малых зазорах величина перенесенного заряда почти не зависит от величины зазора.

Это интересно

Патоморфология крупных бронхов при хроническом неспецифическом воспалении легких
Примитивные мышечные волокна
Надпочечниковая недостаточность
Трансфузионные реакции
Перечисленные особенности
Влияние недостатка сна на здоровье ребенка