Слои аморфного селена, напыленные на подложки из стекла с проводящим покрытием, обнаруживают медленный темновой спад положительного заряда и очень быстрый темновой спад отрицательного заряда. Когда слои были заряжены положительно и освещались со стороны селена, потенциал уменьшался до относительно низкой величины. Однако при освещении пластины со стороны стекла потенциал уменьшался сначала примерно с той же скоростью, но до более высокого значения остаточного потенциала. Такое поведение фототока можно объяснить тем, что при положительном заряде на селене и освещении через стекло фототок определяется электронами, и эффект должен быть аналогичен зарядке селена отрицательным зарядом и освещению слоя со стороны селена. При отрицательном заряде и освещении поверхности селена остаточный потенциал обычно выше, чем в случае положительного заряда. В работе сообщается об экспериментах со слоями аморфного селена, напыленными на проводящие лодложки, представляющие собой покрытия из окиси кадмия на стекле. Оксидное покрытие толщиной -0,05 мк было получено лутем распыления. Селеновые слои толщиной 0,2 — 16 мк получались напылением в вакууме при температуре подложки, поддерживавшейся при 20° С и ниже. Эта температура оказалась необходимой для обеспечения адгезии между аморфными слоями и очень тонкими покрытиями. Обнаружено также, что темновые спады положительного и отрицательного зарядов достаточно медленны даже для очень тонких слоев. Сообщаются времена темновых полуспадов (от 30 до 60 мин). К тому же тонкие пленки были способны выдерживать довольно высокие поверхностные заряды, причем внутренние поля при насыщении достигали значений 50-104-60-lO4 в/см, по-видимому, для положительной и отрицательной зарядок. Однако скорость светового спада положительного заряда приблизительно вдвое больше скорости спада отрицательного заряда.